报奖公示

您当前位置: 首页 > 通知公告 > 报奖公示 > 正文
关于推荐申报2017年度北京市科学技术奖项目的公示
作者: 时间:2017-03-17 点击数:

我单位推荐下列项目申报2017年度北京市科学技术奖,特进行公示。公示期:2017年3月17日至2017年3月24日,公示期内如对公示内容有异议,请您向科技成果转化办公室反映。

联系人:陶端华 电话:027-87558732

1.项目名称:基于准一维半导体纳米结构的柔性光电探测器研究。

2.候选单位(含排序):

(1)中国科学院半导体研究所;

(2)北京科技大学

(3)华中科技大学

3.候选人(含排序):

(1)沈国震,(2)娄正,(3)陈娣,(4)朱明强

4.项目简介(与申报推荐书中“项目简介”一致):

准一维半导体纳米材料具有大长径比和比表面积、高载流子迁移率、优异的弹性等特点,在柔性光电探测器中有很好的应用前景。利用其特殊的几何结构和优异的物理化学性能,探索柔性光电探测器的构筑方法,揭示材料与器件的构效关系,研发灵敏、稳定、高柔性的器件及集成系统,是准一维半导体纳米材料研究的重要科学问题之一。本项目在多个国家及省部级项目多年的资助下,提出了用准一维半导体纳米材料构筑高性能柔性光电探测器的有效方法,开创了利用传感材料低维化、复合化以及储能单元与传感单元集成化来提高柔性光电探测器性能及应用范围的手段,为传感材料设计和高性能柔性自驱动集成器件的构筑奠定了基础。主要科学发现点如下:

1.构筑了基于一维宽带隙多元金属氧化物纳米结构的柔性紫外光电探测器,发现了其显著增强的光电响应性能:利用CVD技术,实现了准一维宽带隙多元金属氧化物纳米结构及超晶格纳米结构的可控合成,为材料组分结构与敏感性能之间的关系提供了理论依据和技术支持,成功的研制了一系列多元氧化物半导体基柔性紫外探测器,具有响应度高、机械柔韧性好等特点。

2.发现了一维II-V族窄带隙半导体材料/有机半导体复合材料的宽光谱响应特性:设计了通用的一维II-V族窄带隙半导体材料制备方法及柔性光电探测器制备工艺;设计并首次实现了基于一维II-V族窄带隙半导体材料/有机半导体复合材料的新型柔性光电探测器件,揭示了其物理机制。成果被Nature Photonics作为亮点报道,创造了II-V族半导体室温迁移率的最高纪录。

3.开发了有效的柔性传感与储能器件集成工艺,成功地实现了柔性储能器件与柔性准一维低维半导体基光电探测器的系统集成:在构筑高柔性储能器件的基础上,开发了柔性储能器件与柔性传感器的集成工艺,实现了柔性能量单元集成的多功能光电探测器系统,首次在一根线状基底上实现了储能与光探测的系统集成。成果被国内外媒体广泛报导,并被英文专著收录。

围绕上述内容,本项目共发表SCI论文79篇,被SCI论文他引1835次,20余次在国际学术会议上做邀请报告,受邀在Chemical Society Reviews等顶尖期刊撰写综述5篇。被World Industrial Reporter,Laboratory Equipment等多家国际知名机构及德国Wiley出版公司的MaterialsView中国网站进行多次专题报道。其中10篇代表性论文总影响因子126,被他人SCI引用382次,单篇最高引用95次。该项目完成人中1人获国家杰出青年基金,2人入选教育部新世纪优秀人才支持计划。

5.相关证明材料:

(2)基础研究类:申报推荐书中“四、代表性论文、著作发表情况及第三方评价”内容(不含4.4第三方评价主要内容)、“五、其它证明目录”内容;所有内容见附件。